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avx鉭電容的封裝要求與關鍵因素

作者:點擊數:發(fa)布時(shi)間:2021-06-08

avx鉭電容以常用的固(gu)態鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)為例(li)。 簡樸地說,固(gu)體電(dian)(dian)解質鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)的工藝流程(cheng)主(zhu)要分(fen)為三個步驟(zou):在鉭(tan)粉中加(jia)入粘結劑(ji)、壓(ya)實、燒(shao)結、混合(he)后成(cheng)型; 這種(zhong)方法是(shi)(shi)在鉭(tan)陽極(ji)的表面(mian)形(xing)成(cheng)一層氧(yang)化(hua)(hua)膜(mo)作(zuo)為電(dian)(dian)介質,然后在氧(yang)化(hua)(hua)膜(mo)上(shang)疊加(jia)一層作(zuo)為電(dian)(dian)容(rong)陰(yin)極(ji)。 進行(xing)包裝和老化(hua)(hua)。 上(shang)述工藝流程(cheng)中決(jue)定(ding)電(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)機能的樞紐因素是(shi)(shi):鉭(tan)粉的純度、比容(rong)燒(shao)結溫度、保溫時間; 形(xing)成(cheng)階段(duan)的溫度、電(dian)(dian)流和電(dian)(dian)壓(ya)控制;涂覆(fu)階段(duan)的高溫會??損(sun)壞介電(dian)(dian)膜(mo)。常見的半導體材(cai)料包括(kuo)硅(gui)、鍺、砷(shen)化(hua)(hua)鎵等,在各(ge)種(zhong)半導體材(cai)料中,鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)在貿(mao)易應(ying)用中最具影響力。

avx鉭電容的封裝要求與關鍵因素


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