（1）為了便于發射結發射電子，發射區半導體的摻雜溶度遠高于基區半導體的摻雜溶度，且發射結的面積較小。

（2）發(fa)(fa)射(she)區(qu)和集電(dian)區(qu)雖(sui)為一致性質的(de)摻雜(za)半(ban)導(dao)體，但(dan)發(fa)(fa)射(she)區(qu)的(de)摻雜(za)溶(rong)度要高于(yu)集電(dian)區(qu)的(de)摻雜(za)溶(rong)度，且集電(dian)結的(de)面積要比發(fa)(fa)射(she)結的(de)面積大，便于(yu)搜(sou)集電(dian)子。

（3）聯(lian)系(xi)發射結(jie)和(he)集電結(jie)兩個(ge)PN結(jie)的(de)基區十(shi)分薄，且摻雜(za)溶度(du)也很低(di)。

avx鉭電容好(hao)像(xiang)兩個反(fan)向(xiang)串聯(lian)的(de)(de)PN結(jie)，假如孤登時看待這兩個反(fan)向(xiang)串聯(lian)的(de)(de)PN結(jie)，或(huo)將兩個一(yi)般二(er)極(ji)管串聯(lian)起來(lai)組(zu)成avx鉭電(dian)容(rong)，是不可能具(ju)(ju)有電(dian)流的(de)(de)擴大效(xiao)果。具(ju)(ju)有電(dian)放逐大效(xiao)果的(de)(de)avx鉭電(dian)容(rong)，PN結(jie)內部結(jie)構的(de)(de)特殊性是。

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