avx鉭電容代理商為了掌握鉭金屬-絕緣體-半導體異質結構的更多數據并找出與介電擊穿的關系，咱們研討了兩種形式下電流/電壓相關的作業參數。 在正常形式下，鉭電極被施加正偏壓； 在相反的形式下，鉭電極被負偏壓）。 avx鉭電容代理商商能夠點進來。 擊穿不僅是因為忽然擊穿，而且是因為隨后的電流流動，這使得很難解釋擊穿的起源和動態。 導電聚合物的介電擊穿類似于雪崩擊穿和場致擊穿。它是由兩個電極之間的引力、電化學衰變和樹枝狀晶體結構引起的機電崩塌。

然而，也有(you)報道稱(cheng)負極膜(mo)表現(xian)出自愈現(xian)象(xiang)。這(zhe)或(huo)許是因為薄(bo)(bo)膜(mo)蒸騰、碳化(hua)(hua)和再氧化(hua)(hua)的(de)進程。 也或(huo)許有(you)短路。 您(nin)或(huo)許以為這(zhe)兒的(de)低值(zhi)特別低于硅(gui)的(de)值(zhi)。 當出現(xian)自愈情(qing)況(kuang)時，會(hui)出現(xian)一(yi)些(xie)特別現(xian)象(xiang)。在某些(xie)情(qing)況(kuang)下，能(neng)夠削減薄(bo)(bo)弱點和身體分(fen)解(jie)區域(yu)。 在avx鉭電容(rong)代理商(shang)的(de)實驗室(shi)實驗中，能(neng)夠在不損(sun)壞元(yuan)器(qi)件的(de)情(qing)況(kuang)下丈量熱(re)擊(ji)穿(chuan)； 能(neng)夠以最(zui)小的(de)損(sun)壞觀(guan)察到電擊(ji)穿(chuan)。

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