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mos管是(shi)(shi)(shi)金(jin)屬（metal）—氧(yang)化物（oxide）—半(ban)導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱(cheng)是(shi)(shi)(shi)金(jin)屬—絕緣(yuan)體（insulator）—半(ban)導體。MOS管的(de)source和drain是(shi)(shi)(shi)可以對調的(de)，他們都是(shi)(shi)(shi)在P型(xing)backgate中形成的(de)N型(xing)區。在多(duo)數(shu)情況......
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與其他電(dian)解電(dian)容器(qi)-樣，貼片鉭電(dian)容由陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)-一(yi)些電(dian)解質(zhi)和陰極(ji)(ji)(ji)(ji)組(zu)成(cheng)，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)與陰極(ji)(ji)(ji)(ji)隔離，因此(ci)只有非常(chang)小(xiao)的泄漏DC電(dian)流可以流過電(dian)容器(qi)。陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)由純鉭金屬(shu)制成(cheng)。將金屬(shu)研磨成(cheng)細粉(fen)，并在高(gao)溫下(xia)燒結(jie)成(cheng)顆粒(li)。這形成(cheng)了具有高(gao)表面積(ji)的......
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功(gong)率稍大些的單(dan)相電(dian)(dian)機，一般(ban)都配備二個(ge)電(dian)(dian)容(rong)器即啟動(dong)電(dian)(dian)器和(he)運轉電(dian)(dian)容(rong)器。在70年之前的單(dan)相電(dian)(dian)機多為(wei)一個(ge)電(dian)(dian)容(rong)器就是啟動(dong)電(dian)(dian)容(rong)器。電(dian)(dian)機啟動(dong)后由離心開關把電(dian)(dian)容(rong)器甩二開，此時只有主繞組(zu)(zu)工作。次繞組(zu)(zu)是閑著不用的。 為(wei)了......
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電(dian)感器(qi)(qi)(qi)（Inductor）是能(neng)夠把電(dian)能(neng)轉化(hua)為磁能(neng)而存儲起來(lai)的元件。電(dian)感器(qi)(qi)(qi)的結構類似于(yu)變壓器(qi)(qi)(qi)，但(dan)只有一個繞組。電(dian)感器(qi)(qi)(qi)具有一定(ding)的電(dian)感，它(ta)(ta)只阻礙電(dian)流(liu)的變化(hua)。如果電(dian)感器(qi)(qi)(qi)在沒(mei)有電(dian)流(liu)通過的狀態下，電(dian)路接通時(shi)它(ta)(ta)將試圖阻礙電(dian)......
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