st代(dai)理商(shang)的(de)高集(ji)成(cheng)度模(mo)擬芯片完(wan)成(cheng)一(yi)個三相半(ban)橋(qiao)柵驅(qu)(qu)(qu)動器(qi)，并內置自舉二極管。st代(dai)理商(shang)的(de)驅(qu)(qu)(qu)動電(dian)流閃(shan)開發(fa)職員可(ke)(ke)以(yi)從各(ge)種功率MOSFET中為(wei)其所選電(dian)機挑選一(yi)款合適的(de)產品。內部(bu)維(wei)護機制包括實時可(ke)(ke)編(bian)程過流維(wei)護、消除具有危(wei)害性的(de)直(zhi)通電(dian)流標題(ti)的(de)跨導防護、欠壓(ya)維(wei)護和過熱維(wei)護。st代(dai)理商(shang)的(de)內置運放最大極限晉升高性價比的(de)無(wu)傳感(gan)器(qi)反(fan)饋體(ti)系或霍爾傳感(gan)器(qi)反(fan)饋體(ti)系規(gui)劃(hua)的(de)靈活性。·節約(yue)外部(bu)元器(qi)件，簡化體(ti)系規(gui)劃(hua)，使用內部(bu)降壓(ya)轉換器(qi)和線性穩壓(ya)器(qi)做(zuo)電(dian)壓(ya)軌，為(wei)微(wei)操控器(qi)、外部(bu)電(dian)路(lu)和柵驅(qu)(qu)(qu)動器(qi)供(gong)給(gei)電(dian)源。st代(dai)理商(shang)可(ke)(ke)以(yi)進(jin)入待機模(mo)式，封閉除給(gei)微(wei)操控器(qi)供(gong)電(dian)的(de)直(zhi)流直(zhi)流轉換器(qi)外的(de)一(yi)切內部(bu)電(dian)路(lu)，st代(dai)理商(shang)將功耗降至最低(di)極限。

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