MOSFET工作(zuo)（啟動）時，漏極(ji)和源(yuan)極(ji)間(jian)的阻(zu)值稱為導通電阻(zu) （RDS(ON)）。數值越(yue)小，工作(zuo)時的損耗(hao)（功(gong)率(lv)損耗(hao)）越(yue)小。

一般MOSFET的芯(xin)片尺寸(cun)（表面面積）越(yue)大(da)，導(dao)通電阻(zu)越(yue)小。封(feng)裝尺寸(cun)越(yue)大(da)可搭載的芯(xin)片尺寸(cun)就越(yue)大(da)，因此導(dao)通電阻(zu)越(yue)小。選擇(ze)更大(da)尺寸(cun)的封(feng)裝，導(dao)通電阻(zu)會(hui)更小。

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