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avx鉭電容的封裝進程與契合規格

作者:點(dian)擊數:發布時(shi)間:2021-10-30

avx鉭電容可(ke)以防(fang)護(hu)可(ke)以吸(xi)收一(yi)切的能量(liang),因而,此電容可(ke)以在(zai)(zai)(zai)高壓下進行正常(chang)工作,至少在(zai)(zai)(zai)到(dao)達(da)高壓擊穿極(ji)(ji)限之(zhi)前,不會發(fa)生破壞性電弧放電。avx鉭(tan)電容的防(fang)護(hu)分布由器材選用的獨特設計來控制,avx可(ke)達(da)3kV或以上。還在(zai)(zai)(zai)終極(ji)(ji)測試時選用了專用電容分選設備,以確保一(yi)切無磁(ci)(ci)電容均能契合技能要(yao)求。最新推出的系列(lie)在(zai)(zai)(zai)電極(ji)(ji)和端(duan)接結構中選用非鐵資(zi)料,來知足(zu)消除磁(ci)(ci)化的要(yao)求。

這些新器材在較高的電壓定額內具有最大容量,而且前進了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會造成斷路,并有或許損壞其他元器材。因而,需求削減或徹底消除大部分電容中的磁性資料。尺度的高壓電容終極將會失效短路,這取決于電弧放電的次數和存在標題的部分。

avx鉭電容的封裝進程與契合規格

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