目前(qian)，擁有先(xian)(xian)進制程技術的(de)芯片廠商(shang)僅剩臺(tai)積電(dian)、三星電(dian)子和英特爾，其中，臺(tai)積電(dian)的(de)先(xian)(xian)進制程工藝、市占率(lv)遙遙領(ling)先(xian)(xian)，使得三星在(zai)近些年一(yi)直(zhi)處于苦苦追趕的(de)狀態。

三(san)星(xing)在10月7日的晶圓代工論(lun)壇上(shang)表示(shi)，2022上(shang)半年會推(tui)出3nm制程，臺積電的3nm是在2022下半年才會推(tui)出。據悉(xi)，三(san)星(xing)的3nm將采(cai)用環繞(rao)閘極技(ji)術（Gate-All-Around，GAA），臺積電則延用FinFET，2nm制程才會導入GAA技(ji)術。

三(san)星表示，預計2022年(nian)推出(chu)(chu)第(di)一(yi)代3nm的3GAE技術(shu)，2023年(nian)推出(chu)(chu)新一(yi)代3GAP技術(shu)，2025年(nian)2nm的2GAP制程投產，而(er)臺積電的2nm預計于2024年(nian)推出(chu)(chu)，早于三(san)星。

三(san)星(xing)強調，與5nm制(zhi)程(cheng)相比，三(san)星(xing)首(shou)顆3nm制(zhi)程(cheng)GAA技(ji)術(shu)芯片面積將縮小35%，性(xing)能(neng)提(ti)高 30% 或功耗降低 50%。三(san)星(xing)表示，3nm良(liang)率正在逼近(jin)4nm制(zhi)程(cheng)。

這樣看來(lai)，三星的晶圓(yuan)代(dai)工業務(wu)有望成為2022年的一個亮點，不(bu)至于讓臺積電一枝獨秀。

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