自從Fan-Out封裝問世以來，經過多年的技術發展，扇出式封裝已經形成了多種封裝流程、封裝結構以適應不同產品需要，根據工藝流程，可以分為先貼芯片后加工RDL的Chip First工藝和先制作RDL后貼裝芯片的Chip Last工藝兩大類，其中，結構最簡單的是采用Chip First工藝的eWLB，該結構如下圖：

其工藝流程如下：

1、將切割好的(de)芯片(pian)(pian)Pad面向下(xia)粘貼在帶(dai)臨時鍵合膠的(de)載片(pian)(pian)上；

2、從(cong)芯片背面對載片進行(xing)灌膠塑封；

3、移除臨時載片形成塑封(feng)后(hou)的二(er)次(ci)晶(jing)圓（扇出式晶(jing)圓）；

4、去除Pad上的殘留(liu)膠并在(zai)Pad面形成RDL層(ceng)；

5、在RDL層上植球并切割(ge)成單個(ge)成品。

此(ci)技術的(de)(de)優(you)勢(shi)是制(zhi)(zhi)程相對簡單，成本優(you)勢(shi)明(ming)顯(xian)。但由于移除(chu)載片(pian)后，扇出晶圓的(de)(de)翹曲難以(yi)控制(zhi)(zhi)，對RDL線路的(de)(de)生(sheng)長技術提出了挑(tiao)戰，難以(yi)制(zhi)(zhi)作高密度的(de)(de)RDL，因此(ci)該技術主要應用于布線密度較低的(de)(de)中低端的(de)(de)產品。

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