avx鉭電容當(dang)成立起必定寬度的(de)(de)(de)空間電(dian)荷區后，電(dian)場惹(re)起的(de)(de)(de)電(dian)子漂移活動戰濃(nong)度差別惹(re)起的(de)(de)(de)電(dian)子渙散(san)活動抵達相對的(de)(de)(de)均衡，便構(gou)成了avx鉭(tan)電(dian)容(rong)勢壘。用(yong)avx鉭(tan)電(dian)容(rong)去消弭邊沿區域的(de)(de)(de)電(dian)場，進(jin)步管(guan)子的(de)(de)(de)耐壓值。N型(xing)基片具有很小(xiao)的(de)(de)(de)通態電(dian)阻，其攙(chan)和(he)濃(nong)度較H-層(ceng)要(yao)下100％倍。

正在基片下邊構成N+陽極層，其感染是加小陽極的打仗電阻。經由進程調解結構參數，N型基片戰陽極金屬之間便構成avx鉭電容勢壘。那些優秀特性是快規復南北極管所無法比擬的。建議電容器施加的電壓為格外電壓的90％，若格外電壓大年夜于10V時，取格外電壓的80％為好;若直流電壓加上交變電壓，則其峰值電壓不能逾越格外電壓;若總的直流電壓加上背峰值交變電壓，出有容許閃現背壓。