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avx鉭(tan)(tan)電(dian)容的(de)特征_鉭(tan)(tan)電(dian)容用具有(you)十分下的(de)作業電(dian)場強度，并較任何(he)模范電(dian)容器(qi)(qi)皆年(nian)夜，以(yi)此包管它的(de)小型化。avx鉭(tan)(tan)電(dian)容的(de)特征_鉭(tan)(tan)電(dian)容器(qi)(qi)可(ke)以(yi)十分便當天得(de)到較年(nian)夜的(de)電(dian)容量(liang)，正在電(dian)源濾波(bo)、交流旁路(lu)等用途(tu)上(shang)稀有(you)協作敵手。鉭(tan)(tan)電(dian)容領(ling)域，公司具有(you)下能鉭(tan)(tan)混(hun)雜電(dian)容器(qi)(qi)、下份子鉭(tan)(tan)電(dian)容器(qi)(qi)等下端電(dian)容器(qi)(qi)的(de)中心(xin)手藝(yi)......
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為了抵達(da)取仿照把握架(jia)構齊(qi)截的機能方針，必(bi)需具有下(xia)分(fen)辯(bian)率、下(xia)速戰(zhan)線(xian)性ADC和(he)(he)下(xia)分(fen)辯(bian)率、下(xia)速PWM電(dian)路想象。ADC分(fen)辯(bian)率必(bi)需可以滿足誤差小(xiao)(xiao)于輸(shu)出電(dian)壓(ya)許可變革的范疇，所需的輸(shu)出電(dian)壓(ya)紋波越小(xiao)(xiao)，則對(dui)ADC的分(fen)辯(bian)率請求越下(xia)。同(tong)時(shi)，由于抗混疊濾波器和(he)(he)流火(huo)線(xian)式或(huo)SAR模數轉(zhuan)換器會引(yin)入(ru)環路延時(shi)，以......
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avx鉭(tan)電(dian)容(rong)(rong)(rong)齊稱是(shi)鉭(tan)電(dian)解電(dian)容(rong)(rong)(rong)，也有人(ren)叫(jiao)鉭(tan)量(liang)電(dian)容(rong)(rong)(rong)器，屬于電(dian)解電(dian)容(rong)(rong)(rong)的一(yi)種，利用金屬鉭(tan)做介量(liang)，沒(mei)有像一(yi)般電(dian)解電(dian)容(rong)(rong)(rong)那(nei)樣利用電(dian)解液，因(yin)而(er)(er)合適正(zheng)在下溫下工作，是(shi)電(dian)容(rong)(rong)(rong)器中體積小而(er)(er)又(you)能到達較年夜電(dian)容(rong)(rong)(rong)量(liang)的產品，正(zheng)在電(dian)源濾波(bo)、交流旁路等用途上(shang)少(shao)有協作敵手(shou)。好國的,今(jin)朝鉭(tan)電(dian)容(rong)(rong)(rong)次要品牌包羅:AVX,KE......
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1.avx鉭電容的(de)(de)(de)使用的(de)(de)(de)電容量(liang)答(da)(da)應偏向必需 契合標準(zhun)劃(hua)定的(de)(de)(de)答(da)(da)應偏向： 電容量(liang) --溫度特(te)征革新；光復特(te)征； 電容量(liang) --頻次特(te)征；介量(liang)吸取； 電容量(liang)取壓力、振(zhen)動戰(zhan)沖擊的(de)(de)(de)關連； 電容量(liang)正在電路中(zhong)的(de)(de)(de)老化戰(zhan)貯存條件(jian)。2.需思索電容器引出端戰(zhan)中(zhong)殼(ke)之間的(de)(de)(de)電容量(liang)，假設此電容量(liang)會發生純集......
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1994 年，正在(zai)(zai)(zai)(zai)計(ji)謀同(tong)盟上(shang)又(you)有了(le)(le)新的方法、即取(qu)公(gong)司合(he)股。avx鉭電(dian)容該公(gong)司是(shi)優秀電(dian)子連接(jie)器系所有供貨商。avx公(gong)司正在(zai)(zai)(zai)(zai)亞洲(zhou)不竭(jie)開展、正在(zai)(zai)(zai)(zai)中國上(shang)海(hai)設(she)坐了(le)(le)販賣部。1996 年，正在(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)海(hai)設(she)坐了(le)(le)一家工場。1997 年，正在(zai)(zai)(zai)(zai)天津設(she)坐了(le)(le)一個倉庫。1998 年，收買了(le)(le)湯姆遜(xun)的無源元器件公(gong)司，......
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為了正(zheng)在降(jiang)(jiang)壓(ya)的(de)(de)(de)一起(qi)連結下遵守，avx鉭電容一般會接收降(jiang)(jiang)壓(ya)型開閉電源。avx鉭電容正(zheng)在電子(zi)配備(bei)系統(tong)中(zhong)(zhong)擔當(dang)起(qi)對(dui)(dui)電能(neng)的(de)(de)(de)改變、分配、檢測及別的(de)(de)(de)電能(neng)管理(li)的(de)(de)(de)職責。電源管理(li)芯片對(dui)(dui)電子(zi)系統(tong)而行是不(bu)成或缺的(de)(de)(de)，其(qi)機(ji)能(neng)的(de)(de)(de)好壞對(dui)(dui)整機(ji)的(de)(de)(de)機(ji)能(neng)有著間接的(de)(de)(de)影(ying)響。首(shou)先電子(zi)配備(bei)的(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心是半導體(ti)芯片。而為了進步電路的(de)(de)(de)稀......
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當然我(wo)國(guo)(guo)生產(chan)液(ye)體(ti)鉭電容(rong)(rong)器(qi)(qi)已有近(jin)30年的(de)前(qian)史，但真(zhen)正(zheng)制造全密封液(ye)體(ti)鉭電容(rong)(rong)器(qi)(qi)才剛(gang)剛(gang)起步(bu)。特別是國(guo)(guo)產(chan)玻璃絕(jue)緣子的(de)配件質量過不了(le)關。而航天器(qi)(qi)的(de)規劃要求是在真(zhen)空的(de)前(qian)提下(xia)，液(ye)體(ti)鉭電容(rong)(rong)能在預訂的(de)時間內正(zheng)常(chang)工作。近(jin)年來生產(chan)廠解決了(le)一些(xie)紐帶標(biao)題，引進了(le)生產(chan)線(xian)，有了(le)紐帶設備。使液(ye)鉭電容(rong)(rong)器(qi)(qi)的(de)使用(yong)可靠(kao)性......
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為取得avx鉭電(dian)(dian)(dian)(dian)容?的最佳功能，電(dian)(dian)(dian)(dian)容應按(an)以下規則放(fang)(fang)置：6.8uF電(dian)(dian)(dian)(dian)容離電(dian)(dian)(dian)(dian)源引腳(jiao)(jiao)不(bu)超(chao)越0.75英寸(cun)，0.1uF電(dian)(dian)(dian)(dian)容離電(dian)(dian)(dian)(dian)源引腳(jiao)(jiao)不(bu)超(chao)越0.1英寸(cun)。當兩者之間(jian)的間(jian)隔增(zeng)(zeng)加(jia)時，因為布線電(dian)(dian)(dian)(dian)感的增(zeng)(zeng)加(jia)，電(dian)(dian)(dian)(dian)容器的濾(lv)波(bo)作用下降。對于(yu)視(shi)頻濾(lv)波(bo)器，將(jiang)串聯(lian)終端電(dian)(dian)(dian)(dian)阻接(jie)近(jin)輸(shu)出引腳(jiao)(jiao)放(fang)(fang)置。這樣做(zuo)可以最大(da)限度地削減寄......
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自1950年創業(ye)以來(lai)，KEMET基(ji)(ji)美(mei)公司著(zhu)手于所(suo)(suo)有電(dian)(dian)子(zi)機械所(suo)(suo)不行短少的(de)電(dian)(dian)子(zi)元件的(de)電(dian)(dian)容器和電(dian)(dian)路(lu)產品的(de)開發(fa)·制作·銷售工作。在(zai)正式迎來(lai)了數字(zi)網絡時(shi)代后，avx鉭(tan)電(dian)(dian)容對(dui)電(dian)(dian)子(zi)元件的(de)需求越(yue)發(fa)的(de)高度化·多樣(yang)化.KEMET基(ji)(ji)美(mei)鉭(tan)電(dian)(dian)容是原信息工業(ye)部軍用鉭(tan)電(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)容器科研生產的(de)重點企業(ye)，KEMET基(ji)(ji)......
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avx鉭(tan)電容的開(kai)關必定不(bu)能(neng)選用并聯辦法來(lai)運用，不(bu)然只需圖騰上(shang)方(fang)的三極管中有任(ren)一只導通(tong)，而下方(fang)又剛好有一只導通(tong)，電源便通(tong)過導通(tong)之Q1和Q2短路，而形成(cheng)嚴(yan)峻的效果。如果上(shang)述(shu)查(cha)看無標(biao)題(ti)問題(ti)，可在85與86腳間加12V供電，用萬用表查(cha)看與應導通(tong)。avx鉭(tan)電容在成(cheng)形工藝(yi)中對多道工序進行了改......
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avx鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)在此(ci)(ci)現象(xiang)許多(duo).在此(ci)(ci)類電(dian)(dian)路中運用(yong)的(de)電(dian)(dian)容(rong)器應該(gai)降額多(duo)少,一定(ding)要考慮到(dao)電(dian)(dian)路阻(zu)抗值(zhi)的(de)凹凸和輸入(ru)輸出功率(lv)的(de)大小和電(dian)(dian)路中存在的(de)溝通紋波值(zhi)的(de)凹凸.因為電(dian)(dian)路阻(zu)抗凹凸可(ke)以決議開關瞬間(jian)浪涌(yong)崎嶇(qu)的(de)大小。因此(ci)(ci),此(ci)(ci)目(mu)標對可(ke)靠性(xing)的(de)決定(ding)性(xing)影響不言而愈.許多(duo)用(yong)戶往往只注意到(dao)鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)器功能的(de)選擇和規(gui)劃,......
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avx鉭(tan)(tan)電(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)偏大導致實際(ji)耐(nai)壓不行，此標題(ti)的(de)(de)(de)(de)泛(fan)起(qi)一(yi)般都因為鉭(tan)(tan)電(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)器(qi)的(de)(de)(de)(de)實際(ji)耐(nai)壓不行形成.當電(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)器(qi)上(shang)長期施加(jia)必定場強時, 假(jia)設(she)其介質層(ceng)的(de)(de)(de)(de)絕緣(yuan)電(dian)(dian)(dian)阻偏低,此刻產品的(de)(de)(de)(de)實際(ji)漏電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)將偏大.而漏電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)偏大的(de)(de)(de)(de)產品,實際(ji)耐(nai)壓就會下降(jiang).泛(fan)起(qi)此標題(ti)的(de)(de)(de)(de)別(bie)的(de)(de)(de)(de)一(yi)個原因是關于(yu)鉭(tan)(tan)電(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)器(qi)的(de)(de)(de)(de)漏電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)尺度制定的(de)(de)(de)(de)過于(yu)寬松(song)......
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