電源管理芯片對整個規格的類型來說是不符的。關于的整流參數是不符合要求的，在依據管子里的接線任物與差錯，可以說是造成整流管擊的穿著與損壞。關于整個流管的性與偏小來說。

nxp電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)芯片的(de)設(she)備裝置或制作(zuo)質(zhi)量不過關。由(you)于(yu)(yu)(yu)發電(dian)機長期(qi)處于(yu)(yu)(yu)比較大(da)的(de)振動之(zhi)中工作(zuo)，所以使(shi)整(zheng)流管(guan)也處于(yu)(yu)(yu)這一振動的(de)外力(li)攪擾之(zhi)下；一起由(you)于(yu)(yu)(yu)發電(dian)機組(zu)轉速時高時低，使(shi)NXP電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)的(de)接(jie)受(shou)能力(li)可以依(yi)據(ju)電(dian)壓的(de)隨心(xin)所遇來忽冷忽熱的(de)去改變，這樣便大(da)大(da)地加(jia)速了整(zheng)流管(guan)的(de)老(lao)化、損壞。

nxp電(dian)源(yuan)管(guan)(guan)理芯片的(de)(de)過電(dian)壓、過電(dian)流裕量偏小(xiao)，使(shi)整(zheng)流管(guan)(guan)接受不起發電(dian)機(ji)勵磁回路中產生的(de)(de)過電(dian)壓或過電(dian)流暫態過程峰值的(de)(de)襲(xi)擊而(er)損壞。在nxp電(dian)源(yuan)管(guan)(guan)理芯片是(shi)在雙型(xing)晶體(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)開關(guan)電(dian)路里邊, 通過在上銜接的(de)(de)二管(guan)(guan)來的(de)(de)箝(qian)位，使(shi)得晶體(ti)管(guan)(guan)在導(dao)通情況時其實處于很接近(jin)截(jie)止(zhi)情況，然后進步晶體(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)開關(guan)速(su)度。這種方法是(shi)等(deng)典型(xing)數字的(de)(de)內部電(dian)路與運用(yong)的(de)(de)技(ji)術(shu)。

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