服務熱線
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電(dian)氣設(she)備(bei)中的(de)所有組件，例如電(dian)阻器、電(dian)容器、整(zheng)流(liu)器和半導體(ti)，對于它們可以(yi)可靠(kao)運行的(de)最高溫(wen)度都(dou)有特(te)定的(de)限(xian)制。工(gong)作溫(wen)度是(shi)環境溫(wen)度和設(she)備(bei)產生的(de)熱量的(de)總(zong)和。 電(dian)阻器的(de)額定...
了解更多 [08-02]
隨(sui)著(zhu)汽(qi)車(che)制(zhi)造(zao)商在其 ADAS 中(zhong)(zhong)集成和完善(shan)車(che)道偏離警(jing)告、碰撞預防和自適應巡航控制(zhi)等功能，電(dian)子設備在整個(ge)物料清單 （BOM） 中(zhong)(zhong)的作用顯著(zhu)增(zeng)加。這種趨勢在電(dian)動汽(qi)車(che)...
了解更多 [08-01]
高頻電阻(zu)器采(cai)用精(jing)確的材料(liao)和配(pei)置(zhi)設計，可在對 5G 系統至關重要的頻率下有效運行。這些可能(neng)涉及使用薄膜或厚膜電阻(zu)器，它們通過耗散一(yi)些能(neng)量作為熱量來管理電信信號，只...
了解更多 [07-31]
在(zai)高(gao)速(su)信(xin)號處理中(zhong)，電阻器起著至關重(zhong)要的作用，尤其(qi)是(shi)在(zai)數據傳輸頻率(lv)顯著增(zeng)加(jia)的情況下。例如，在(zai) 5G 網絡領(ling)域，頻率(lv)可以(yi)飆升至 24 GHz。這意味著，從理論上講，...
了解更多 [07-30]
高(gao)頻電阻(zu)器擅(shan)長在(zai)高(gao)頻下提供電阻(zu)。高(gao)頻信號(hao)可以按(an)照所需(xu)的(de)精確速率通(tong)過(guo)電阻(zu)器到達(da)接(jie)收組件，并(bing)且不(bu)會出現過(guo)度(du)的(de)功(gong)率波動。 高(gao)頻電阻(zu)器使 5G 通(tong)信成為(wei)可能，因為(wei)它們(men)可...
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村田制(zhi)作所開發(fa)了ECASD40E477M4R5KA0聚合(he)物鋁電解平滑電容(rong)器，該電容(rong)器在D外殼（7.3 x 4.3 mm）中保持薄型設計（最(zui)大(da)2.0 mm）和(he)大(da)電...
了解更多 [06-20]
隨著(zhu)手機市(shi)場為傳統旺季做好準備(bei)，領先(xian)的 GaAs（砷化鎵）晶圓(yuan)代工(gong)廠 Win Semiconductors 準備(bei)充分利用對功率放(fang)大器(qi) (PA) 不(bu)斷(duan)增長的需求。...
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Nvidia 成立于 1993 年，已成為圖形處理單元(yuan) (GPU) 市(shi)場的(de)領先廠商。臺(tai)灣與英(ying)偉達在 AI 時代(dai)的(de)崛(jue)起有著密切(qie)的(de)關系。英(ying)偉達是(shi)全球領先的(de)人工智(zhi)能和...
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插(cha)件鋁(lv)電(dian)解電(dian)容(rong)是一種由(you)鋁(lv)圓筒做負極(ji)、里面裝有液體電(dian)解質(zhi)，并插(cha)入一片(pian)彎(wan)曲(qu)的鋁(lv)帶做正(zheng)極(ji)制成(cheng)的電(dian)容(rong)器。它需要(yao)經過直(zhi)流電(dian)壓處理，使(shi)正(zheng)極(ji)片(pian)上形成(cheng)一層氧化膜做介質(zhi)。 插(cha)件鋁(lv)...
了解更多 [06-13]
在選擇鋁電(dian)解電(dian)容(rong)器時，除了靜電(dian)容(rong)量和耐壓(ya)以(yi)外，還需要(yao)考慮(lv)以(yi)下(xia)重(zhong)要(yao)的性(xing)能(neng)指(zhi)標(biao)：溫(wen)度(du)范圍(wei)和穩定(ding)(ding)性(xing)：需要(yao)關(guan)注電(dian)容(rong)器在工(gong)作溫(wen)度(du)范圍(wei)內的穩定(ding)(ding)性(xing)，溫(wen)度(du)特(te)性(xing)通常以(yi)溫(wen)度(du)系數的形...
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鋁(lv)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容(rong)不能(neng)承(cheng)(cheng)(cheng)受(shou)反向(xiang)電(dian)(dian)壓的(de)原因是氧(yang)化鋁(lv)層(ceng)的(de)特性。氧(yang)化鋁(lv)層(ceng)是鋁(lv)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容(rong)的(de)電(dian)(dian)介質，它可以承(cheng)(cheng)(cheng)受(shou)正(zheng)向(xiang)的(de)直(zhi)流電(dian)(dian)壓，但不能(neng)承(cheng)(cheng)(cheng)受(shou)反向(xiang)的(de)直(zhi)流電(dian)(dian)壓。 如果氧(yang)化鋁(lv)層(ceng)承(cheng)(cheng)(cheng)受(shou)了(le)反向(xiang)電(dian)(dian)壓...
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鋁(lv)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容(rong)器因其體積小、儲存電(dian)(dian)量大、性(xing)價比(bi)高等顯(xian)著優點，已廣(guang)泛應用于(yu)多個領域。它們(men)常見(jian)于(yu)電(dian)(dian)源電(dian)(dian)路(lu)、音頻放大器、射(she)頻電(dian)(dian)路(lu)、直流電(dian)(dian)源濾波器等各(ge)種電(dian)(dian)子(zi)設備(bei)中。 此外(wai)，...
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