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avx鉭電(dian)(dian)容離子(zi)很(hen)快通(tong)過電(dian)(dian)解液(ye)及介(jie)質膜并(bing)向鉭正上(shang)。即使有0.1V的(de)反(fan)向電(dian)(dian)壓(ya)，也會損壞的(de)介(jie)質，可使其損毀。用戶在(zai)運用中及是可以篩選出測試與反(fan)向電(dian)(dian)壓(ya)的(de)。對于目前為(wei)止，鉭電(dian)(dian)容可以說是仍(reng)舊在(zai)很(hen)多(duo)人的(de)運行中會被其他給替代，根(gen)據(ju)其原因如下：1.防(fang)止液(ye)體鉭電(dian)(dian)容漏液(ye)選用全密封型液(ye)體avx鉭電(dian)(dian)容器......
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avx鉭電容可以利用電感器測量，由(you)于良多客戶根本不知道測驗的頻(pin)率和相應(ying)的檔位(wei)，假設是需要(yao)用測驗的，歡迎前來我司，咱們將給(gei)予演示給(gei)客戶測驗的進程。...
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鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)和電(dian)(dian)容(rong)都對(dui)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)有(you)阻(zu)止效果，電(dian)(dian)感(gan)是(shi)保持電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)的效果，avx鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)是(shi)通直(zhi)(zhi)阻(zu)交流(liu)(liu)(liu)，因(yin)為(wei)(wei)直(zhi)(zhi)流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)通過電(dian)(dian)感(gan)是(shi)沒(mei)任何(he)意義的，因(yin)為(wei)(wei)磁場沒(mei)有(you)改變。而電(dian)(dian)容(rong)是(shi)保持電(dian)(dian)壓(ya)的是(shi)通之流(liu)(liu)(liu)隔交流(liu)(liu)(liu)，因(yin)為(wei)(wei)直(zhi)(zhi)流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)路中的電(dian)(dian)容(rong)相等于開路，電(dian)(dian)容(rong)是(shi)保持電(dian)(dian)壓(ya)的。...
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恩智(zhi)浦MCU依托20年(nian)開創(chuang)性產品的(de)(de)經驗，將微(wei)控制器的(de)(de)利益和LPC技(ji)術(shu)結合(he)在一起。我們(men)的(de)(de)創(chuang)新設備依據(ju)內核的(de)(de)中心要求，以及(ji)不(bu)斷的(de)(de)行進(jin)機能與全體的(de)(de)改動，在行業格(ge)局(ju)將這逐(zhu)一都(dou)得獲益，無與倫比(bi)的(de)(de)賦能技(ji)術(shu)，包含微(wei)控制器軟(ruan)件和工具，以及(ji)廣泛的(de)(de)合(he)作伙伴生態(tai)系統。...
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ARM微(wei)控制器的最(zui)佳(jia)產品組及機(ji)能和集成(cheng)度(du)(du)不斷進步(bu) - 所有這些都獲得了無與倫比的使(shi)能支撐(cheng)。具有較高(gao)的集成(cheng)度(du)(du)和安(an)全性，一(yi)起還(huan)有價格公道和MCU級可(ke)(ke)用(yong)性等上風，可(ke)(ke)支撐(cheng)新一(yi)代物聯網(wang)運用(yong)。...
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但鋁(lv)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)此參數比(bi)較高(gao)。有(you)利(li)益就(jiu)必(bi)定會(hui)出，貼(tie)片鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)首(shou)要體(ti)現是以下(xia)幾點，首(shou)先要說的就(jiu)是高(gao)，持平容(rong)(rong)(rong)量的鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)要比(bi)陶(tao)瓷電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)貴(gui)十倍。其次是容(rong)(rong)(rong)量小(xiao)(xiao)，由于(yu)(yu)不(bu)是用電(dian)(dian)解液(ye)來做介質，容(rong)(rong)(rong)量受到(dao)達不(bu)到(dao)很高(gao)。再(zai)就(jiu)是耐電(dian)(dian)壓(ya)及電(dian)(dian)流才能較弱，只能用于(yu)(yu)一些電(dian)(dian)壓(ya)和電(dian)(dian)流小(xiao)(xiao)的當(dang)地。...
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在電(dian)(dian)源管理芯片(pian)測驗中，可用到具有(you)導(dao)(dao)通和鏈接效(xiao)果的(de)(de)大電(dian)(dian)流彈片(pian)微針(zhen)模(mo)組，來確(que)測驗的(de)(de)安(an)(an)穩性和效(xiao)率性。軟板的(de)(de)測試，需求(qiu)用到的(de)(de)設(she)備(bei)，其中大電(dian)(dian)流彈片(pian)微針(zhen)模(mo)組具有(you)安(an)(an)穩的(de)(de)導(dao)(dao)通效(xiao)果，其一體(ti)成型的(de)(de)彈片(pian)式設(she)計(ji)，有(you)著整(zheng)體(ti)精度高、導(dao)(dao)電(dian)(dian)性能好的(de)(de)特點，在大電(dian)(dian)流傳輸中，可承載1-50的(de)(de)范圍電(dian)(dian)流，是具有(you)牢靠的(de)(de)過流......
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基于(yu)阻隔半橋驅(qu)動(dong)的(de) 240W高功(gong)率(lv)同步整流電(dian)源計(ji)劃(hua)，是(shi)一(yi)款可(ke)用于(yu)通(tong)訊體(ti)系的(de) 48V 輸(shu)入、12V 輸(shu)出 240W 的(de)阻隔半橋同步整流電(dian)源計(ji)劃(hua)，其開關(guan)頻率(lv)為200KHz，功(gong)率(lv)可(ke)達(da) 95事實上，充(chong)電(dian)樁直流輸(shu)出高達(da) 800V，而非(fei)阻隔驅(qu)動(dong)耐壓只要(yao)700V，無法滿意充(chong)電(dian)樁使用的(de)基本要(yao)求。...
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avx鉭電(dian)容(rong)在(zai)數(shu)據(ju)溝通(tong)通(tong)直流電(dian)源中(zhong)，也(ye)能夠通(tong)過參加阻隔半橋驅(qu)動(dong)(dong)來改(gai)進(jin)電(dian)源機(ji)能，avx鉭電(dian)容(rong)在(zai)盛行的整流橋加升(sheng)壓的架構中(zhong)，還能夠通(tong)過增加阻隔半橋驅(qu)動(dong)(dong)的方(fang)法(fa)，將有橋改(gai)為從而減少二極管運(yun)用數(shu)目(mu)，并前進(jin)電(dian)源效率。...
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長(chang)電mos管半導(dao)體(ti)工業(ye)協會布(bu)告北美半導(dao)體(ti)設備出(chu)貨(huo)講演(yan)，mos管關(guan)于設備的(de)(de)制造商來說(shuo)是(shi)(shi)依據出(chu)貨(huo)的(de)(de)金(jin)(jin)額(e)來到達條件的(de)(de)，關(guan)于25個月來算，mos管是(shi)(shi)算失落的(de)(de)，原因包含晶(jing)圓代(dai)工廠出(chu)資金(jin)(jin)額(e)進入冷季(ji)，以及記(ji)憶(yi)體(ti)廠的(de)(de)本錢(qian)開(kai)銷計劃更為謹嚴守舊等(deng)。...
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作為(wei)全球的(de)移動(dong)芯片供給商(shang)，跟著智能(neng)(neng)(neng)音箱(xiang)的(de)普及，也開始關注(zhu)智能(neng)(neng)(neng)產(chan)品。mos管(guan)的(de)外(wai)媒報(bao)導，對于該(gai)公(gong)司的(de)宣揚可(ke)以說(shuo)是出了名的(de)。對于mos管(guan)系列智能(neng)(neng)(neng)音頻(pin)(pin)芯片，首要用于智能(neng)(neng)(neng)音箱(xiang)和顯示器。為(wei)了可(ke)以給更多產(chan)品提供核心原件，長電推(tui)出的(de)芯片可(ke)以專(zhuan)門為(wei)智能(neng)(neng)(neng)音箱(xiang)的(de)需(xu)求與(yu)規劃，mos管(guan)的(de)系列與(yu)智能(neng)(neng)(neng)音頻(pin)(pin)的(de)......
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avx鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)的(de)(de)正負極也是一個需求留(liu)心的(de)(de)目標。特別是驅動的(de)(de)碳化硅功率(lv)管(guan)，這是由于(yu)碳化硅功率(lv)管(guan)寄生(sheng)電(dian)(dian)容(rong)更小，所以電(dian)(dian)壓瞬態改變值更大，avx鉭(tan)電(dian)(dian)容(rong)關于(yu)相(xiang)同的(de)(de)一個體系是有要求的(de)(de)，假定從功率(lv)管(guan)改為碳化硅功率(lv)管(guan)，其瞬態電(dian)(dian)壓比時(shi)刻(ke)的(de)(de)峰(feng)值會管(guan)的(de)(de)2到3倍，所以需求更高的(de)(de)目標。...
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